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【2h】

Device and Circuit Performance of the Future Hybrid III–V and Ge-Based CMOS Technology

机译：未来混合III-V和Ge基CmOs技术的器件和电路性能

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Kalna, Karol;
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年度 2016
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2. Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers [J] . Re V., Gaioni L., Manazza A., IEEE Transactions on Nuclear Science . 2013,第6aPart1期

机译：基于两个130nm CMOS层的垂直集成的3D技术中的设备和电路的辐射容限
3. Ultra low-voltage analog circuits for UHF RFID devices in 180 nm CMOS technology [J] . Andrea Boni, Alessio Facen Analog Integrated Circuits and Signal Processing . 2010,第3期

机译：适用于采用180 nm CMOS技术的UHF RFID设备的超低压模拟电路
4. Interface Engineering Routes for a Future CMOS Ge-based Technology [C] . I. Z. Mitrovic, M. Althobaiti, A. D. Weerakkody, Dielectrics for nanosystems 6: Materials science, processing, reliability, and manufacturing . 2014

机译：未来基于CMOS Ge的技术的接口工程路线
5. Bipolar device characterization and design in CMOS technologies for the design of high-performance low-cost BiCMOS analog integrated circuits [D] . Larsen, Frode. 1994

机译：CMOS技术中的双极性器件表征和设计，用于设计高性能低成本BiCMOS模拟集成电路
6. Beyond CMOS: heterogeneous integration of III–V devices RF MEMS and other dissimilar materials/devices with Si CMOS to create intelligent microsystems [O] . Thomas E. Kazior -1

机译：超越CMOS：III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
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机译：未来的混合III-V和基于Ge的CMOS技术的器件和电路性能
8. LDRD Final Report - Investigations of the impact of the process integration of deposited magnetic films for magnetic memory technologies on radiation-hardened CMOS devices and circuits - LDRD Project (FY99) [R] . 2000

机译：LDRD最终报告 - 研究沉积磁性薄膜在磁记忆技术上的工艺整合对辐射强化CmOs器件和电路的影响 - LDRD项目（FY99）

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